5G及汽車電子發(fā)力 第三代半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大
相較目前主流的硅晶圓(Si),第三代半導(dǎo)體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外,也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢(shì),不僅可使芯片面積可大幅減少,并能簡(jiǎn)化周邊電路的設(shè)計(jì),達(dá)到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。除了輕化車輛設(shè)計(jì)之外,因第三代半導(dǎo)體的低導(dǎo)通電阻及低切換損失的特性,也能大幅降低車輛運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的能源轉(zhuǎn)換損失,兩者對(duì)于電動(dòng)車?yán)m(xù)航力的提升有相當(dāng)?shù)膸椭R虼?,SiC及GaN功率組件的技術(shù)與市場(chǎng)發(fā)展,與電動(dòng)車的發(fā)展密不可分。
2022-05-31